삼성 갤럭시 S25 기본 모델 12GB 램 장착 확정

 

 

삼성전자 차기 플래그십 갤럭시S25 기본 모델에 12GB 램(RAM) 탑재가 확정됐다.

14일 긱벤치에서는 갤럭시S25 국내 모델(모델 번호 SM-S931N)이 발견됐다.

 

 

긱벤치 데이터베이스에 따르면 갤럭시S25 국내 모델은 퀄컴 스냅드래곤 8 엘리트 프로세서로 구동되며 12GB 램을 탑재한 것으로 확인된다.

 

 

갤럭시S24+는 4년 만에 다시 12GB 램을 탑재하고 있다.

 

 

또한, 갤럭시S25 기본 모델에 탑재된 스냅드래곤 8 엘리트 칩의 최대 클럭은 4.47GHz로 확인된다. 갤럭시S25 울트라에 탑재된 스냅드래곤 8 엘리트 칩과 클럭 속도가 동일하다.

 

 

삼성은 2023년 출시된 갤럭시S23 시리즈에 갤럭시 전용 스냅드래곤 8 3세대(Snapdragon 8 Gen 3 for Galaxy) 칩을 전량 탑재하고, 올해 출시된 갤럭시S24 시리즈에서는 기본 모델과 플러스 모델에 엑시노스 2400 칩을 탑재했지만, 차기 갤럭시S25 시리즈에서는 다시 모든 모델에 스냅드래곤 칩이 전량 탑재될 것이라는 소문에 무게가 실리고 있다.